氧化物墙隔离E、B、C的双极高速晶体管制造工艺

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摘要本文介绍了一种IC中使用的双极高速晶体管制造工艺，该工艺制造的晶体管的E、B、C均由氧化物墙隔离，消除了pn结的侧壁结，使双极晶体管的两个pn结基本上成为平面结，提高晶体管的fT。本文介绍了该工艺的工艺流程。分析了该工艺结构晶体管的特点，介绍了关键工艺步骤的工艺过程及工艺参数。并给出该工艺制造的晶体管的电参数及该工艺的应用前景。

作者徐爱华

机构地区中国华晶电子集团公司中央研究所

出处《微电子技术》 1995年第1期29-33,共5页 Microelectronic Technology

关键词双极高速晶体管制造工艺氧化物墙隔离

分类号 TN322.805 [电子电信—物理电子学]

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