In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析被引量：1

Thermodynamic Study of Vapor Phase Epitaxy of In_xGa_(1-x)As Using An In-Ga Alloy Source

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摘要本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规律性及改进工艺条件有一定参考价值. The vapor phase epitaxy of In_xGa_(1-x)As using an In-Ga alloy source has been studiedthermodynamically.Some useful conclusions for the technology have been obtained from thecalculations.

作者徐宝琨李钟华宋利珠赵慕愚

机构地区吉林大学电子科学系

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期301-308,共8页 半导体学报（英文版）

关键词热力学计算气相外延铟镓砷 Thermodynamic calculation Vapor phase epitaxy Indium gallium arsenide solid solution

分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]

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参考文献3

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Journal of Semiconductors

1989年第4期

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