槽栅结构静电感应晶体管

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摘要本文介绍了一种利用简单挖槽实现栅源立体结构的静电感应晶体管。对照覆盖栅SIT进行了结构分析。概述了共源组态、输出功率3W的槽栅SIT的设计与研制。此结构易于提高版图横向密度,工艺简化,器件的电性能优良,是制造微波低电压SIT的有效途径之一。

作者任逸维崔恩录

出处《半导体情报》 1989年第6期14-18,共5页 Semiconductor Information

关键词槽栅结构静电感应晶体管

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半导体情报

1989年第6期

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