摘要
本文以一种综合的方法,包括不同偏置下器件的小信号S参数测量与模拟,直流I-V特性测量与模拟等,在准静态假设的基础上建立了GaAsMESFET的大信号综合模型,并在模型中考虑了栅正向导通效应和栅漏反向击穿效应。实验结果表明,在8.0GHz下,计算机模拟和实际测量的FET输出功率饱和特性符合得比较好。在7.5～8.5GHz带宽内,1dB增益压缩下大信号模型设计放大器的最大输出功率为17.2dBm,而小信号设计放大器的最大输出功率为15.4dBm。通过对FET输入、输出电压、电流波形的分析,初步讨论了FET输出功率饱和的原因。
出处
《半导体情报》
1989年第2期19-26,共8页
Semiconductor Information
