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扩散型硅压阻力敏感元件的设计和工艺

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摘要本文以低浓度掺杂,圆形膜硅杯式悬浮封装结构的力敏感元件为基础,阐述其设计工艺及补偿技术中的有关问题.

作者项兴荣

机构地区天津第三半导体器件厂

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期4-7,共4页 Semiconductor Technology

关键词扩散型硅敏感元件设计工艺

分类号 TN379.02 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1989年第6期

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