化学生成的Si/SiO_2系统在超高真空中的退火研究

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摘要用AES详细观测了化学生成Si/S_1O_2系统在超高真空(UHV)中的退火变化.并对收录的俄歇直接谱进行了快速傅里叶变换(FET)退自卷积处理,得到了Si态密度退火前后的变化情况.最后,对退火效应进行了分析和讨论.

作者徐士杰龚彬王荣新

机构地区西安交通大学电子系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第5期48-50,共3页 Semiconductor Technology

关键词化学生成 Si/SiO2真空退火

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半导体技术

1989年第5期

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