双极MOS复合器件及其发展动向

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摘要微电子技术与电力电子技术相结合,不但使电力电子领域为控制部分向数字化、小型化和高性能方向发展,而且使功率半导体器件自身向高耐压、大容量和高频化方向发展.功率半导体器件中,作力电力电子学基石的晶闸管具有大电流特性,但无自关断能力;广泛使用的双极晶体管需较大的基极驱动电流;可关断晶闸管GTO能在比双极晶体管更大的电流密度下工作,但开关速度低且门极关断电流大;

作者臧觉民

机构地区南通晶体管厂

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期5-8,共4页 Semiconductor Technology

关键词双极型 MOS 复合器件发展晶闸管

分类号 TN34－1 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1989年第4期

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