深槽腐蚀工艺的研究被引量：1

导出

摘要硅器件深槽腐蚀工艺广泛应用于硅内层玻璃钝化二极管、高压整流器、硅整流桥堆、低频功率器件以及高压功率集成电路.众所周知,对于高压整流器、高压功率器件,为了提高其反向耐压性能,经常采用台面结构.台面的形成工艺,始终是影响器件性能的关键工艺,然而在已往(或者当前)众多工厂仍然得不到圆满的解决.不少工厂台面的形成工艺采用黑胶保护,然后用HF。

作者邵建新张安康

机构地区机电部东南大学电子工程系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期39-43,共5页 Semiconductor Technology

关键词深槽腐蚀工艺二极管硅器件

分类号 TN310.52 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

同被引文献1

1李观启,曾勇彪,骆桂良,廖亦水,黄美浅.用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的研究[J]半导体技术,1986(03).

引证文献1

1姚凤兵,孔德平.制造高压器件的容差阶梯台面腐蚀技术[J].半导体技术,1992,8(6):33-37.

1莫科伟,刘丽艳,周彬,吴洪强.0.5μm CMOS腐蚀工艺研究[J].电子与封装,2002,2(5):1-10.
2戚立昌.后硅材料时代正在到来[J].中国电子商情（元器件市场）,2002(5):11-11.
3赵宇,郑茳,魏同立,吴金.硅双极晶体管1/f噪声的物理机制[J].微电子学,1993,23(2):48-54.
4陈晓餍,孙成迪.采用a—Si：H膜钝化的硅器件[J].永光半导体,1991(1):39-43.
5曾庆城,王水风,宋加涛,张燕群,谭卫.硅器件晶片的红外吸收研究[J].江西大学学报（自然科学版）,1989,13(4):62-67.
6张翔九.步入“能带工程”的硅器件[J].科学,1993,45(4):49-52.
7清卓.认识无滤波器D类放大器[J].电子世界,2010(3):15-18.
8章从福.德利用硅材料研制发光器件[J].半导体信息,2007,0(4):23-23.
9Keith Curtis.如何扭转电压比较器不被重视的问题[J].今日电子,2009(5):30-32.
10胡才雄.硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术[J].上海有色金属,1994,15(1):31-36. 被引量：1

半导体技术

1989年第4期

浏览历史

内容加载中请稍等...

深槽腐蚀工艺的研究被引量：1

同被引文献1

引证文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

深槽腐蚀工艺的研究 被引量：1

同被引文献1

引证文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

深槽腐蚀工艺的研究被引量：1