硅烷外延淀积多晶硅被引量：1

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摘要 SiH_4-H_2-HCl系统用于淀积多晶硅膜,有着SiCl_4外延无法比拟的优越性,其生长温度最佳值在1050℃,生长速度从实验趋势上来看远远超过了SiCl_4外延.外延质量也比SiCl_4外延好.所以,在一些特殊器件的制造中采用本系统是完全必要的.

作者张秦生周鸣新

机构地区国营七四九厂

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期42-47,共6页 Semiconductor Technology

关键词硅烷外延淀积多晶硅

同被引文献1

1李坦平,谢华林,聂西度.高纯硅微粉中多个杂质元素的质谱分析[J].硅酸盐通报,2017,36(11):3636-3641. 被引量：1
2马启坤,赵桂洁,张健雄.电子级多晶硅生产关键工艺控制[J].云南冶金,2019,48(4):76-78. 被引量：3
3张博闻,吴勇,杨甫,夏思瑶,黄天纵,孟施旭.计算流体力学(CFD)在化学气相沉积(CVD)模拟仿真中的应用[J].材料保护,2022,55(9):141-147. 被引量：4

半导体技术

1989年第3期

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