摘要
利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了气相外延ＧａＮ：Ｚｎ晶片的表面形貌、Ｚｎ浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其ＭＩＳ结构的电致发光微区光谱．研究表明，Ｚｎ杂质掺入ＧａＮ可以形成四种能量位置的发光中心；它们的形成与Ｚｎ浓度和晶体的微区结构有关；二者的不均匀决定了发光的不均匀性．
he surface topography,concentrition distribution of doped Zn ions and microregion cathodo luminescence in GaN:Zn epitaxial films were studied.The results show that four types of zincic luminescence centres can exist in GaN epitaxial films,depending on the crystal structures and Zn concentrition of micro-region.
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期330-336,共7页
Chinese Journal of Luminescence
