通过IDDQ测试来发现深层次的缺陷

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摘要集成电路的几何尺寸越来越细,金属层越来越多,使传统的测试方法难以检查出潜在的工艺缺陷.幸运的是,一种方兴未艾器件静态电流I_(DDQ)的测试方法可以帮助设计人员发现这些缺陷,还能够找出可能影响到长期可靠性的各种问题.虽然CMOS器件的I_(DDQ)测试难点尚未全部攻克,但这种测试方法当前正在运用,而且具有广阔的发展前景.

作者 Novel.,J 陈森锦

出处《电子产品世界》 1995年第11期24-26,共3页 Electronic Engineering & Product World

关键词集成电路 IDDQ测试测试缺陷 CMOS器件

分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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电子产品世界

1995年第11期

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