摘要
4 欧姆接触的退化 源和漏欧姆接触电阻直接影响着寄生串联电阻R<sub>s</sub>和R<sub>d</sub>,并由此而影响器件的特征参数如I<sub>dss</sub>,g<sub>m</sub>,P<sub>o</sub>,N<sub>F</sub>等。 GaAs上的欧姆接触最常采用的是Au-Ge-Ni合金系统,因为它能提供高频、大功率应用所需的低接触电阻（0.1-0.5Ωmm）。 表4总结了对试验样品的Au-Ge-Ni欧姆接触进行研究得出的最新结论。接触电阻的增加归因于四种效应:（1）Au对Ga的过量吸杂作用造成Ga外扩散,在接触下产生一个电阻率较高、成份失配的多缺陷区域。在最上面的Au层和Au-Ge-Ni之间加入合适的扩散阻挡层可以减少这种影响。（2）覆盖层结构会对接触产生不利影响,这可能是由于有互扩散的原因。（3）Au和Ni的内扩散会降低接触区下面半导体的掺杂浓度。（4）热退火会使NiAs（Ge）或Ni<sub>2</sub>GeAs晶相和GaAs之间的接触面积减小。
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1995年第6期19-25,共7页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
