带内建二极管的彩电行管瞬态热阻的测量

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摘要本文以实验比较了一般功率晶体管和带内建二极管的功率晶体管的EB结的温度特性,分析了并联在EB结上的扩散电阻Rb对测量晶体管△V_(BE)E产生影响的原因.提出了带内建二极管的功率管△v_(BE)测量条件.

作者周志坤叶奇放

机构地区杭州半导体厂

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期31-34,27,共5页 Semiconductor Technology

关键词彩电功率晶体管瞬态热阻测量

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半导体技术

1989年第2期

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