双面光刻技术

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摘要普通的光刻技术是在硅片的一面利用光刻胶的保护作用,对SiO_2进行选择性化学腐蚀,从而在SiO_2层上得到与光刻掩模版相应的图形.双面光刻技术则是在硅片的上下两面同时刻蚀对准的图形,我厂在将单面光刻机改装成双面光刻机上已做出样片。

作者潘明端

机构地区徐州市半导体厂

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期7-8,共2页 Semiconductor Technology

关键词半导体光刻技术双面光刻

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半导体技术

1989年第1期

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