PACVD沉积混合相BN薄膜的特性
-
1张一鸣.用ECR等离子体CVD沉积的氮化硅膜特性[J].真空电子技术,1989,2(4):44-49.
-
2一弓.Ar等离子体CVD沉积金刚石[J].等离子体应用技术快报,1996(1):5-6.
-
3可若.沉积参数对PACVD沉积c—BN薄膜形成的影响[J].等离子体应用技术快报,1994(7):16-17.
-
4顾毓沁,余立新.硅基板上CVD沉积金刚石膜的热扩散率和热导率[J].薄膜科学与技术,1994,7(4):281-288. 被引量:1
-
5胡巍,姜宏伟,赵立萍,付东辉,彭鸿雁.氨气流量对PCVD法制备金刚石薄膜的影响[J].黑龙江科技信息,2012(9):72-72.
-
6季振国,杨成兴,刘坤,叶志镇.热场对雾化裂解CVD沉积的薄膜厚度均匀性的影响[J].材料科学与工程学报,2003,21(4):494-497.
-
7吴孔平,顾书林,朱顺明.Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性[J].半导体技术,2008,33(S1):345-348. 被引量:1
-
8张国栋,孙维国.含氧等离子体对低温CVD沉积SiO2钝化性能的改善[J].固体电子学研究与进展,2004,24(4):543-545. 被引量:1
-
9邓志杰(摘译).新微晶材料的HWCVD沉积及其在太阳电池中的应用[J].现代材料动态,2008(11):1-2.
-
10邓志杰(摘译).Sanken公司开发出第一个GaN/Si换流器[J].现代材料动态,2009(6):10-10.
;