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表面活性物质在液态金属及汞齐电极上的脱附

THE DESORPTION OF SURFACE-ACTIVE SUBSTANCES ON Hg, Ga AND Ga(Hg), In(Hg) ELECTRODES
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摘要 本文测定了Hg、Ga及Ga(Hg)、In(Hg)电极在1mol/l KCl基底溶液中的四丁基碘化铵、苯及正戊醇的脱附电位(φ_d)。结果表明,相同浓度的同一活性物质在Ga、Ga(Hg)及Hg电极上φ_d之差小于0.015伏;在In(Hg)电极上,φ_d与汞齐中In的浓度有关。 The desorption potentials of surface-active organic substances in 1 mol/1 KCl were measured. It was found that the differences of desorption potentials of the same surface-active substances on Ga, Ga(Hg) and Hg electrodes in the same concentration are less than 0.015 V, and the desorption potentials on In(Hg) electrodes are related to the concentration of In in amalgam.
作者 瞿进 范宏斌
机构地区 扬州师院化学系
出处 《扬州师院学报(自然科学版)》 CSCD 1989年第4期30-33,43,共5页
关键词 金属电极 表面活性物质 Surface activity Active materials Desorption Electrode potential Metal electrode Gallium Indium Mercury
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