摘要
水平沟道场控晶闸管是由结型场效应晶体管和双极型晶体管复合构成的一种晶闸管。它具有输入阻抗高、电压控制和用低压控制大功率输出的特点。文中对已研制成的一种水平沟道场控晶闸管正向特性进行了较为详细的分析。
Lateral channel field-controlled thyristor is a combination of a NJFET and a PNP bipolar transistor. It is a voltage-controlled device with high input impedance,which makes it possible to control higher output power with a lower input voltage. The paper presents a new theory of forward characteristic of field-controlled thyristor.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期372-376,共5页
Research & Progress of SSE
基金
国家自然科学基金
关键词
场控晶闸管
水平沟道
LFCT正向特性
Field-controlled Thyristor Lateral Channel LFCT Forward Characteristic
