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硅片光刻中的暗场对准实验研究
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作者
徐振明
徐常胜
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
1995年第A01期213-213,共1页
Laser & Optoelectronics Progress
关键词
硅片
光刻
暗场对准实验
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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.微电子技术,2000,28(4):50-52.
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邓志杰.
欧洲为将来的半导体工艺作准备[J]
.有色与稀有金属国外动态,1998(4):3-4.
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侯小真.
光刻用准分子激光器[J]
.光机电信息,1998(8):23-26.
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野末康博,陶德生.
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.光电子技术与信息,1992(2):24-27.
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朱扬明,李钰.
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激光与光电子学进展
1995年 第A01期
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