NTD硅电阻率径向不均匀度曲线族

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摘要本文从不均匀度的定义出发,在假设热中子通量完全均匀的前提下,运用半导体理论,推导出 NTD 硅电阻率径向不均匀度Δρ_t、掺杂比 f 与原始单晶硅电阻率径向不均匀度Δρ三者之间的函数关系;并且以 f 和Δρ为自变量、Δρ_t 为参变量,绘制了等Δρ_t 曲线族,分析了它们的物理意义,举例说明了该曲线族的使用方法。

作者邹胜强

机构地区广州半导体材料研究所

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期256-260,共5页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词 NTD硅电阻率硅单晶径向不均匀度

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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