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硅中杂质、缺陷对器件制作与性能的影响及控制被引量：1

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摘要本文针对硅中杂质、缺陷对器件制作和性能的影响进行研究,提出控制杂质与缺陷的不良影响和提高器件的成品率和优品率的途径。

作者胡耀祺

机构地区漳州电子技术研究所

出处《漳州师院学报》 1994年第4期105-110,共6页 Journal of ZhangZhou Teachers College（Philosophy & Social Sciences)

关键词硅杂质缺陷晶体管半导体

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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漳州师院学报

1994年第4期

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