摘要
根据理论研究和国际半导体技术发展路线图(ITRS),传统的硅基CMOS正在接近其极限。为了使微电子技术得以继续发展,最近提出了许多基于多种不同机制的新兴器件,它们可能作为下一代的微电子技术的支柱。但是,作为经典的、二能级开关,这些新兴器件也都受到量子力学和热力学的限制。为了克服这两个基本限制,更大的提高ULSI系统的性能,需要发展功能比二值开关更高的器件或者提出新型的、不同于传统的信息处理系统模型。本文将从器件功耗延迟积的角度来讨论这个问题。
出处
《中国集成电路》
2005年第2期1-5,共5页
China lntegrated Circuit
