摘要
本文从理论上研究了在直流电场的作用下，半导体的光声层析机地。结果表明，电场能影响半导体的光声层析深度，并能使光声检测结果更为灵敏地反映半导体的材料参数差异。
Mechanisms of the photoacoustic depth profiling in semiconductors is studied theoretically when an external dc electric field parallel to the surface of samples is applied.The paper shows that theelectric field ean change the depth of photoacoustic investigations of the sample and increase thedetectability of the parameters of semiconductor materials.
出处
《浙江师大学报（自然科学版）》
1994年第1期31-36,共6页
Journal of Zhejiang Normal University(Natoral Sciences)
基金
南京大学近代声学实验室(国家重点实验室)资助
关键词
光声层析
半导体
直流电场
电场
Photoacoustic depth profiling
Semiconductor material
dc electric field
