三种SOI材料工艺的电气和辐射特性

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摘要近来,人们正在开发许多种绝缘体上硅膜(SOI)材料工艺。这些工艺的每种电气或物理特性都会影响其潜在应用。本文描述了哈里斯半导体公司开发的三种SOI材料工艺的特性研究,即SIMOS,按比例缩小介质隔离及圆片粘合工艺。本文还评论了这些材料质量的现状,报道了制成的典型CMOS器件的电气及辐射的响应特性,并评述了这三种工艺的生存能力。

作者 Wade A.Krull 倪沛然

机构地区哈里斯半导体公司

出处《微电子学》 CAS CSCD 1989年第5期84-91,共8页 Microelectronics

关键词 SOI材料电气辐射特性

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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