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SOI MOSFET电路模拟的模型选择

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摘要本文描述,论证并用实例说明了一种选择SOI MOSFET适当模型的实验方法。选择的准则是由薄膜和(半)体器件模型所预测的稳态电流——电压特性导出的。通过揭示(看似正确的)实际经验模型所产生的明显的模拟误差,突出了选择适当模型的必要性。

作者 J.G.Fossum 徐玉辉

出处《微电子学》 CAS CSCD 1989年第2期50-54,共5页 Microelectronics

关键词 SOI MOSFET 集成电路模拟模型

分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子学

1989年第2期

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