硅锗合金工艺进入射频电路
-
1康晓宁.IBM新技术将晶体管性能提高50%[J].微电脑世界,2003(19):26-26.
-
2热处理与表面处理工艺[J].电子科技文摘,2002,0(2):28-29.
-
3高愈尊,徐柱天.硅锗合金均匀性的X射线衍射研究[J].稀有金属,1989,13(2):187-190.
-
4高清新体验——台电M50HD MP4播放器[J].新潮电子,2009(4):138-138.
-
5杨宇,卢学坤,黄大鸣,蒋最敏,杨敏,章怡,龚大卫,陈祥君,胡际璜,张翔九,赵国庆.Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究[J].物理学报,1995,44(6):995-1002. 被引量：2
-
6邹德恕,陈建新,袁颖,董欣,高国,沈光地.SiGe/SiHBT制造中干法、湿法腐蚀技术的研究[J].半导体技术,1997,13(1):26-28. 被引量：1
-
7王迅,杨宇.硅锗量子阱发光器件的探索[J].物理,1994,23(11):658-663. 被引量：1
-
8索开南,张维连,赵嘉鹏,周子鹏.硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究[J].人工晶体学报,2007,36(3):578-583. 被引量：2
-
9刘旭焱,刘赐德,屈重年,海静,卢志文,黄志祥.纳米尺寸高k/Si_(1-x)Ge_x NMOS场效应管性能的数值模拟研究[J].人工晶体学报,2015,44(12):3656-3665.
-
10蔡积庆.印制板化学镀SnPb合金工艺[J].电子工艺简讯,1993(12):12-12.
;
