硫族铅化合物红外二极管列阵在硅衬底上的制造及其在热成象技术中的应用

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摘要直接生长在硅衬底上的窄禁带半导体层是实现大规模红外焦平面列阵的较好途径。本文报导关于硫族铅化合物光伏红外探测器列阵的最新研制工作,这种探测器列阵利用堆积的 CaF_2/BaF_2缓冲层以单片形式生长在硅(111)衬底上。文中介绍了传感器的制造过程,为了检验这种列阵的功能度,使用了一种简单的热摄象机系统。

作者 Jiri Masek 顾聚兴

机构地区瑞士联邦工艺技术研究所

出处《红外》 CAS 1994年第2期18-25,共8页 Infrared

关键词红外探测器硅铅化合物二极管

分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]

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