摘要
本文介绍了中子辐照损伤的砷化镓光电导探测器对强流γ脉冲辐射的响应。给出了掺铬砷化馆和本征砷化镓探测器的灵敏度随中子辐照损伤注量的变化规律及随着施加偏压的变化关系。
In this paper,we have introduced the response of neutron-damaged GaAs photoconductorto the strong gamma pulsedradiation, given the regularity of sensitivity of Cr-doped GaAs andundoped GaAs changing with the neutron flux and the bias voltage.(
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期198-203,224,共7页
Nuclear Electronics & Detection Technology
基金
中国工程物理研究院科学基金
关键词
核探测器
砷化镓
中子损伤
灵敏度
Nuclear detector GaAs Neutron-damaged Sensitivity )
