最子尺度结构薄膜的进展：纳米半导体薄膜
被引量：1
同被引文献8
-
1林鸿溢，半导体学报，1995年
-
2林鸿溢，科学中国人，1994年，3期，48页
-
3张焱，1993年
-
4林鸿溢，分形论.奇异性探索，1992年
-
5肖韵雪，压电与声光，1985年，12卷，20页
-
6Chen P L，Sensors and Actuators，1984年，5卷，119页
-
7Chen P L，IEEE Trans ED，1982年，29卷，1期，27页
-
8林鸿溢.纳米材料与纳米技术[J].材料导报,1993,7(6):42-45. 被引量：21
二级引证文献8
-
1马正先,韩跃新,郑龙熙,王泽红.热分解条件对沉淀-热分解二步法制备纳米氧化锌的影响[J].矿冶,2002,11(2):55-58. 被引量：4
-
2郭茂田,田臻锋,陈兴科.衬底温度对ZnO薄膜特性的影响[J].应用激光,2006,26(1):26-28. 被引量：2
-
3郭茂田,田臻锋,陈兴科.PLD法薄膜沉积条件对ZnO薄膜特性的影响[J].激光杂志,2006,27(3):57-58. 被引量：4
-
4林鸿溢.纳米科学技术的进展[J].北京理工大学学报,1997,17(6):665-670. 被引量：5
-
5许恒星,王金良,唐宁,彭洪勇,范超.ZnO压电薄膜的制备与性能表征[J].人工晶体学报,2009,38(4):880-883. 被引量：5
-
6林鸿溢,李映雪.微电子技术的进展与挑战[J].世界科技研究与发展,1999,21(4):31-38. 被引量：2
-
7林鸿溢.纳米科学技术的新进展[J].液晶与显示,2002,17(1):21-27. 被引量：10
-
8林鸿溢.后硅器时代[J].Journal of Semiconductors,2003,24(B05):11-16.
-
1林鸿溢,王越.纳米半导体薄膜的研究进展[J].北京理工大学学报,1995,15(2):125-131. 被引量：2
-
2李健,宋淑芳,季秉厚.纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂[J].真空科学与技术,2002,22(2):149-152. 被引量：3
-
3林鸿溢.纳米技术可能引导一次新的工业革命[J].现代科学仪器,2003,20(3):35-36. 被引量：1
-
4刘荷花.模拟计算优化SnO_2纳米半导体薄膜的光学性能[J].电子元件与材料,2015,34(2):74-75. 被引量：1
-
5何进,陈星弼,杨传仁,刘世程.TiO_2(Ag)纳米半导体薄膜的制备及其光催化性能[J].电子元件与材料,1999,18(1):13-14. 被引量：4
-
6陈光旭,陈弘.利用激光干涉的方法制备亚微米光栅结构图形衬底[J].科技创新与品牌,2012(1):72-73.
;
