微氮硅单晶热处理性质研究

Heat Treatment Behaviours of Nitrogen Impurity in Silicon

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摘要实验对微氮硅单晶进行了不同温度、时间、时序的热处理研究，着重调查了硅晶体中氮杂质浓度在热处理时的变化．实验指出，热处理时氛浓度的下降取决于样品热历史，热处理温度及其它杂质的影响，实验发现微氮样品高温热处理时，氮浓度消失，低温再退火时氮浓度重新回升，以及碳杂质抑制氮浓度下降的新事实，并结合红外吸收光谱的研究，提出微氮硅单晶中存在稳定性不同的二种氧氮复合体的观点．

作者杨德仁姚鸿年阙端麟

机构地区浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期402-408,共7页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金

关键词硅单晶热处理氮性能

分类号 O613.72 [理学—无机化学]

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参考文献4

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1994年第6期

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