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VVMOS功率场效应晶体管的设计和关键工艺

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作者 陈秀娟
出处 《上海半导体》 1989年第4期40-43,共4页
关键词 VVMOS 功率 场效应晶体管 设计
分类号 TN386.102 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献
上海半导体
1989年 第4期

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