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多孔硅光致发光的时间效应 被引量:1

Time Effect on Photoluminescence in Porous Silicon
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摘要 讨论多孔硅制备时阳极化时间、样品在大气中的放置时间对多孔硅室温下光致发光光谱和红外吸收光谱的影响。并用量子线模型对结果进行了讨论。 In this paper, photoluminescence and infrared absorption spectra at room temperature in porous silicon are discussed as a function of anodized time and the time in which the sample is exposed to the air. The results are explained in terms of the model of quantum confinement effects.
出处 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期258-261,共4页 JUSTC
关键词 多孔硅 光致发光 时间效应 porous silicon, photoluminescence, infrared spectrum, time effect
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Jung K H,Appl Phys Lett,1991年,59卷,3264页
  • 2Fang C J,Phys Rev B,1980年,22卷,6140页

同被引文献20

引证文献1

二级引证文献1

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