晶体管材料大变革,响应速度提高耗电降低

下载PDF

导出

摘要通过根本改变晶体管材料,利用低于0.1μm的制造工艺生产出的LSI将突破以往在芯片动作的高速化和低耗电方面的极限。美国University Of Texas at Austin将栅极绝缘薄膜材料由原来的二氧化硅(sio_2)

出处《新材料产业》 2001年第1期40-40,共1页 Advanced Materials Industry

关键词晶体管响应速度栅极绝缘薄膜材料二氧化铪阈值电压

1谈国强,贺中亮,刘剑,博海洋,宋亚玉,娄晶晶,李锋娟.二氧化铪(HfO_2)薄膜制备的研究进展[J].陶瓷,2009(2):10-12. 被引量：2
2新型二氧化铪材料[J].金属功能材料,2012,19(4):59-59.
3刘利芳,潘立阳,张志刚,许军.Impact of Band-Engineering to Performance of High-k Multilayer Based Charge Trapping Memory[J].Chinese Physics Letters,2015,32(8):189-192.
4英特尔发布晶体管技术重大突破新闻——采用全新45纳米晶体管生产出首批处理器原型[J].电力信息化,2007,5(2):46-46.
5唐艳艳,朱海玲.HfO_x薄膜阻变特性及机理研究[J].固体电子学研究与进展,2014,34(6):594-598.
6敖金平,曾庆明,蔡克理,赵永林.InP基InAlAs-InAs HEMT[J].半导体情报,1998,35(2):35-37. 被引量：1
7匡潜玮,刘红侠,樊继斌,马飞,张言雷.ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响[J].西安电子科技大学学报,2012,39(2):164-167. 被引量：4
8冯丽萍,刘正堂,许冰.立方晶相HfO_2电子结构与光学性质的第一性原理计算[J].光学学报,2008,28(11):2191-2194. 被引量：9
9李笑,赵元安,刘晓凤,邵建达,范正修.Influence of laser conditioning on defects of HfO_2 monolayer films[J].Chinese Optics Letters,2010,8(6):615-617.
10图片新闻[J].中国计算机用户,2007(6):12-12.

新材料产业

2001年第1期

浏览历史

内容加载中请稍等...