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宽禁带半导体金刚石和SiC的研究进展与应用

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摘要 论述了宽禁带半导体金刚石和 SiC 的结晶与掺杂特性,及其在微波和光电器件中的重要应用。介绍了这两种材料的单晶生长与薄膜制备技术的重要进展,提出了今后的发展方向。
作者 宋登元
机构地区 河北大学
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期140-146,共7页 Chinese Journal of Rare Metals
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