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宽禁带半导体金刚石和SiC的研究进展与应用
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摘要
论述了宽禁带半导体金刚石和 SiC 的结晶与掺杂特性,及其在微波和光电器件中的重要应用。介绍了这两种材料的单晶生长与薄膜制备技术的重要进展,提出了今后的发展方向。
作者
宋登元
机构地区
河北大学
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期140-146,共7页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
半导体材料
金刚石
碳化硅
进展
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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