期刊文献+

Single Cell Element of Chalcogenide Randoul Access Memory Fabricated with the Focused Ion Beam Method

原文传递
导出
出处 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2004年第10期2054-2056,共3页 中国物理快报(英文版)
  • 相关文献

参考文献25

  • 1Ovshiasky S R 1968 Phys. Rev. Lett. 21 1450.
  • 2Feinleib J, deNeufville J, Moss S C et al 1971 Appl. Phys,Lett. 186 254.
  • 3Ohta T, Nishiuchi K, Narumi K et al 2000 Jpn. J, Appl.Phys. 39 770.
  • 4Maeda T, Terao M and Shimano T 2003 Jpn. J. Appl.Phys. 42 1044.
  • 5Lai S and Lowrey T 2001 IEEE Proc. International Electron Devices Meeting 36.5.1.
  • 6Wicker G 1999 SPIE 3891 2.
  • 7Bernacki S, Hunt K, Tyson Set al 2000 IEEE Trans. Nucl.Sci. 47 2528.
  • 8Gill M, Lowrey T and Park J 2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference 12.4 458.
  • 9Hwang Y N, Hong J S, Lee S H et al 2003 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers 173.
  • 10Ha Y H, Yi J H, Horii H et al 2003 Symposium on VLSI Technology Diqest of Technical Papers 175.

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部