摘要
为了减少压力灵敏度偏差,已用阳极氧化自停腐蚀工艺制造了硅膜压力传感器。在肼水溶液中采用自停腐蚀工艺,精确地控制了膜的厚度。p型压阻元件是用硼离子注入在(100)晶向的n型外延层上制造的,在n/p硅外延片的n型层上加5V正电压,则厚的p型衬底就被腐蚀掉,腐蚀停止后,一层薄的n型膜被留下了。膜的尺寸为1mm×1mm,厚度是20±2μm,晶片之间的压力灵敏度偏差小于20％。
出处
《传感器技术》
CSCD
1989年第5期39-41,共3页
Journal of Transducer Technology
