薄栅氮化工艺技术研究

下载PDF

导出

摘要介绍一种薄栅氮化的工艺方法，可用于0．8-1．0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中。

作者薛东风刘存生李齐

机构地区西安微电子研究所

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第B12期71-73,共3页 Microelectronics & Computer

关键词薄栅氮化 MOS集成电路抗辐射MOS集成电路栅氧化栅氧工艺 MOS器件

参考文献1

1陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,范隆,张国强,严荣良.双极运算放大器的辐射效应和退火特性[J].Journal of Semiconductors,1998,19(5):374-380. 被引量：10

1坚定不移地推进西部大开发[J].农村工作通讯,2005(3):4-4.
2高嵩,陆妩,任迪远,牛振红,刘刚.双极运算放大器辐射损伤的时间相关性[J].Journal of Semiconductors,2006,27(7):1280-1284. 被引量：2
3牛振红,郭旗,任迪远,刘刚,高嵩.SiGe HBT^(60)Coγ射线辐照效应及退火特性[J].Journal of Semiconductors,2006,27(9):1608-1611. 被引量：4
4王义元,陆妩,任迪远,郑玉展,高博,李鹏伟,于跃.不同^(60)Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应[J].原子能科学技术,2009,43(10):951-955. 被引量：4
5胡天乐,陆妩,何承发,席善斌,周东,胥佳灵,吴雪.双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性[J].原子能科学技术,2013,47(4):657-663. 被引量：2
6雷小兵,孙宇,曲广卫.强辐射场所无线γ测量装置[J].核电子学与探测技术,2013,33(3):305-307. 被引量：1
7孙江超,张小玲,张彦秀,谢雪松,吕曼,吕长志.国产线性稳压器电离总剂量效应及损伤研究[J].微电子学,2013,43(5):719-722.
8李毅,李珊珊.从集成运放近似条件的教学谈《模电》的授课思路[J].中国西部科技,2015,14(3):115-116.
9姜柯,陆妩,马武英,郭旗,何承发,王信,曾俊哲,刘默涵.质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性[J].原子能科学技术,2015,49(11):2087-2092. 被引量：3

微电子学与计算机

2003年第B12期

内容加载中请稍等...