摘要
本文报道了全分子束外延法生长的HgCdTe可变偏压双波段红外光敏探测器。这种台式器件,即一个n—p—n三层HgCdTe异质结构,经作现场掺杂砷形成p型,掺杂铟形成n型。器件的结构类似于异质结可变基极晶体管。在77K下获得反面照射光谱纯的双波段的探测证明了双色偏压可转换探测器的可行性。通过施加一个-250m V的偏压,选取5.2μm的截止波长(λ_(co)),量子效率(QE)为60％。施加一个+250m V的偏压,选取λ_(co)=7.9μm,量子效率QE为36％。器件的I-V特性可用简单的背对背二极管模式描述。
