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适用于万兆以太网10GBASE-X的全集成单片CMOS压控振荡器

Fully Integrated Single Chip CMOS VCO for IEEE802.3ae Type 10 GBASE-X
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摘要 给出了一个适用于万兆以太网IEEE80 2 3ae 10GBASE -X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路。该压控振荡器采用TSMC 0 18μmCMOS混合信号工艺设计制造 ,由四级差分延时单元和输出驱动电路组成 ,芯片总面积为 0 3× 0 4mm2 。芯片采用 1 8V单电源供电 ,测得带直接耦合差分 5 0Ω负载时的总功耗为 78mW ,单端输出功率为 10 2dBm ,振荡频率在 2 8~ 4 0GHz有非常好的压控线性度 ,在振荡器中心频率为 3 12 5GHz时的单边带相位噪声为 - 96dBc/Hz@10MHz。 A fully integrated ring type voltage-controlled oscillator (VCO) for IEEE802.3ae type 10GBASE-X has been realized and characterized. It was designed and fabricated in TSMC 0.18 μm mixed signal CMOS technology. The total chip size is 0.3×0.4 mm^2. At a supply voltage of 1.8 V, the measured power consumption is 78 mW with DC-coupled differential 50 Ω loads. The linear voltage-controlled frequency area is 2.8~4.0 GHz and the phase noise of single sideband is about-96 dBc/Hz at 10 MHz offset from the center frequency of 3.125 GHz.
出处 《电子器件》 CAS 2004年第2期224-227,共4页 Chinese Journal of Electron Devices
基金 国家 8 6 3计划资助项目 (2 0 0 1AA12 10 74 ) .
关键词 压控振荡器 万兆以太网 模拟电路 互补金属氧化物半导体工艺 voltage-controlled oscillator 10-Gigabit Ethernet analog circuit CMOS-technology
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献2

  • 1Behzad Razavi.A study of noise in CMOSoscillators.IEEE J.Solid-State Circuit, Vol.31,1996: 331~343
  • 2Ali Hajimiri and Thomas H.et.A general theory of phase noise in ele ctricaloscillators.IEEE J. Solid-State Circuits.Vol.33,1998: 179~194

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