摘要
我们已经开发了应用于InAlAs/InGaAs异质结构的大面积光化学选择性干法腐蚀.其中,使用CH_3Br气体和一个低压汞灯.InGaAs层的腐蚀速率是17nm/min,而InGaAs对InAlAs的腐蚀比大约是25∶1,用于N-InAlAs/InGaAs HEMT'S的干法凹槽是在3英寸表面使用光化学腐蚀形成的.当阈值电压是-0.95V时,整个表面的阈值电压标准偏差是18mv,对1.1μm长的栅可得到456ms/mm的跨导,而其标准偏差为14.9ms/mm。
出处
《电子器件》
CAS
1993年第2期103-106,共4页
Chinese Journal of Electron Devices
