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1.5位/级结构在流水线型ADC中的设计与应用
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1
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摘要
本文首先阐述了沟道电荷注入效应的产生机理,然后分析可以有效消除沟道电荷注入效应的开关-电容结构的底板采样技术,最后给出流水线型ADC中采用开关-电容结构的1.5位/级电路设计及仿真结果。
作者
王磊
于云华
石寅
机构地区
中国科学院半导体研究所
出处
《中国集成电路》
2004年第6期48-50,共3页
China lntegrated Circuit
关键词
沟道电荷注入效应
底板采样
流水线
ADC
1.5位/级结构
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
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中国集成电路
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