氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(High Temperature Co fired Ceramic,HTCC)基板具有高的热导率以及与芯片匹配的热膨胀系数,是高功率多芯片组件首选的基板材料和封装材料。为了满足封装要求的良好钎焊性能,文中采用化学镀工艺在氮化铝HTCC基...氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(High Temperature Co fired Ceramic,HTCC)基板具有高的热导率以及与芯片匹配的热膨胀系数,是高功率多芯片组件首选的基板材料和封装材料。为了满足封装要求的良好钎焊性能,文中采用化学镀工艺在氮化铝HTCC基板钨导体表面沉积了化学镍钯金镀层。文中对化学镀镍溶液体系和高温热处理的工艺条件进行了研究,对化学镍层的厚度进行了优化。结果表明,高温热处理促使薄镍层向基板表面钨导体扩散,进而提高化学镀层与基底之间的附着力,镀层附着力良好,满足金丝键合和锡铅焊的要求,为微波高功率组件的研制提供了技术支撑。展开更多
文摘氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(High Temperature Co fired Ceramic,HTCC)基板具有高的热导率以及与芯片匹配的热膨胀系数,是高功率多芯片组件首选的基板材料和封装材料。为了满足封装要求的良好钎焊性能,文中采用化学镀工艺在氮化铝HTCC基板钨导体表面沉积了化学镍钯金镀层。文中对化学镀镍溶液体系和高温热处理的工艺条件进行了研究,对化学镍层的厚度进行了优化。结果表明,高温热处理促使薄镍层向基板表面钨导体扩散,进而提高化学镀层与基底之间的附着力,镀层附着力良好,满足金丝键合和锡铅焊的要求,为微波高功率组件的研制提供了技术支撑。
