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Total dose radiation characteristics of n-channel MOSFETs fabricated using FIPOS technology 被引量：1
1
作者 ZhuShi－Yang Gao－Jian－Xia 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 1997年第3期170-173,共4页
ＴｏｔａｌｄｏｓｅｒａｄｉａｔｉｏｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｎｃｈａｎｎｅｌＭＯＳＦＥＴｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｕｓｉｎｇＦＩＰＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙＺｈｕＳｈｉＹａｎｇ，ＨｕａｎｇＹｉＰｉｎｇ，ＷｕＤｏｎ... ＴｏｔａｌｄｏｓｅｒａｄｉａｔｉｏｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｎｃｈａｎｎｅｌＭＯＳＦＥＴｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｕｓｉｎｇＦＩＰＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙＺｈｕＳｈｉＹａｎｇ，ＨｕａｎｇＹｉＰｉｎｇ，ＷｕＤｏｎｇＰｉｎｇ（Ｄｅｐａｒｔ... 展开更多
关键词 多孔氧化硅 CMOS 总剂量 辐照特征
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