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低Te等离子体应用于finFET FEOL刻蚀的挑战
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作者 Qingyun Yang Lee Chen 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期255-258,共4页
本文描述了一个在晶圆区产生低温等离子体的新型等离子源(RLSATM)。低Te特性是因将晶圆区等离子与功率淀积区分离而产生的。在刻蚀高深宽比结构中,该等离子源显示提高了刻蚀性能,减少了微负载效应和ARDE效应,有助于缓解在先进finFET FEO... 本文描述了一个在晶圆区产生低温等离子体的新型等离子源(RLSATM)。低Te特性是因将晶圆区等离子与功率淀积区分离而产生的。在刻蚀高深宽比结构中,该等离子源显示提高了刻蚀性能,减少了微负载效应和ARDE效应,有助于缓解在先进finFET FEOL刻蚀应用中挑战。 展开更多
关键词 TE FINFET FEOL 等离子体应用 离子源 负载效应 淀积 半导体工业 低温等离子体 缝隙天线 电子温度
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