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金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外光电探测器的研制
被引量:
9
1
作者
吴正云
XIN Xiao-bin
+1 位作者
YAN Feng
ZHAO Jian-hui
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期269-272,共4页
MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视。本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM 4H—SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压下其光电特性。结果表明,该探测器的暗电流非...
MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视。本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM 4H—SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压下其光电特性。结果表明,该探测器的暗电流非常小,在偏压为15V的时候,漏电流密度约为70 nA/cm2,光电流比暗电流高约2个数量级,其光谱响应表明,其最高光谱响应与380 nm的比值约为1000倍,说明该探测器具有良好的紫外可见比。
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关键词
MSM
紫外光电探测器
4H-SIC
紫外可见比
宽禁带半导体
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职称材料
题名
金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外光电探测器的研制
被引量:
9
1
作者
吴正云
XIN Xiao-bin
YAN Feng
ZHAO Jian-hui
机构
厦门大学物理系
siclab
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期269-272,共4页
基金
福建省厦门市科技计划项目(350Z20031076)
文摘
MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视。本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM 4H—SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压下其光电特性。结果表明,该探测器的暗电流非常小,在偏压为15V的时候,漏电流密度约为70 nA/cm2,光电流比暗电流高约2个数量级,其光谱响应表明,其最高光谱响应与380 nm的比值约为1000倍,说明该探测器具有良好的紫外可见比。
关键词
MSM
紫外光电探测器
4H-SIC
紫外可见比
宽禁带半导体
Keywords
optoelectronics
4H-SiC
MSM structure
UV detector
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外光电探测器的研制
吴正云
XIN Xiao-bin
YAN Feng
ZHAO Jian-hui
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
9
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