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固体薄膜的超高真空化学气相沉积
被引量：
3
1
作者
卢炯平
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1995年第12期1114-1119,共6页
描述了用于进行超高真空化学气相沉积（UHVCVD）研究的一实验装置，并讨论氧钛、砷化镓、铑和铁薄膜在硅单晶表面上的UHVCVD及其原位表征．还简单地探讨了UHVCVD在制备模型催化剂中的应用．关＠词##4化学气相淀积;;固体薄膜;;氧化钛;;...
描述了用于进行超高真空化学气相沉积（UHVCVD）研究的一实验装置，并讨论氧钛、砷化镓、铑和铁薄膜在硅单晶表面上的UHVCVD及其原位表征．还简单地探讨了UHVCVD在制备模型催化剂中的应用．关＠词##4化学气相淀积;;固体薄膜;;氧化钛;;砷化镓;;铑;;铁;;硅;;模型催化剂;;超高真空;;俄歇电子能谱;;
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关键词
固体薄膜
氧化钛
砷化镓
铁
硅
化学气相沉积
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职称材料
题名
固体薄膜的超高真空化学气相沉积
被引量：
3
1
作者
卢炯平
机构
semiconductorrocessanddevicecenter
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1995年第12期1114-1119,共6页
基金
美国国家科学基金
Corning
+1 种基金
DuPont
Exxon及Kodak等公司的资助
文摘
描述了用于进行超高真空化学气相沉积（UHVCVD）研究的一实验装置，并讨论氧钛、砷化镓、铑和铁薄膜在硅单晶表面上的UHVCVD及其原位表征．还简单地探讨了UHVCVD在制备模型催化剂中的应用．关＠词##4化学气相淀积;;固体薄膜;;氧化钛;;砷化镓;;铑;;铁;;硅;;模型催化剂;;超高真空;;俄歇电子能谱;;
关键词
固体薄膜
氧化钛
砷化镓
铁
硅
化学气相沉积
分类号
O484 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
固体薄膜的超高真空化学气相沉积
卢炯平
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1995
3
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