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Electrical Properties of Ag-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase Change Random Access Memory
被引量：
2
1
作者
夏吉林
刘波
+2 位作者
宋志棠
封松林
陈邦明
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2005年第4期934-937,共4页
原文传递
题名
Electrical Properties of Ag-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase Change Random Access Memory
被引量：
2
1
作者
夏吉林
刘波
宋志棠
封松林
陈邦明
机构
researchcenteroffunctionalsemiconductorfilmengineering
StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics
SiliconStorageTechnology
出处
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2005年第4期934-937,共4页
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
O483 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Electrical Properties of Ag-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase Change Random Access Memory
夏吉林
刘波
宋志棠
封松林
陈邦明
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2005
2
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