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新型氧离子导体稳定氧化铋的中子衍射
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作者 李际周 杨继廉 +3 位作者 刘蕴韬 肖红文 N.Jiang H.Luo 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第z1期5-7,共3页
新型氧离子导体稳定氧化铋 (Dy2 O3) 0 .15-x(WO3) x(Bi2 O3) 0 85样品具有很高的电导率 ,当x=0 .7时 ,样品在 650℃经过 12 0 0h老化仍不发生相变。用中子衍射技术研究其结构 ,发现氧离子在 32f晶位占位数随着x的变化有一极大值 ,这... 新型氧离子导体稳定氧化铋 (Dy2 O3) 0 .15-x(WO3) x(Bi2 O3) 0 85样品具有很高的电导率 ,当x=0 .7时 ,样品在 650℃经过 12 0 0h老化仍不发生相变。用中子衍射技术研究其结构 ,发现氧离子在 32f晶位占位数随着x的变化有一极大值 ,这时晶体结构趋向于氧离子由 8c晶位向 32f晶位移动。由于这时的 2 4e 32f键长最短 ,结构极其稳定。 展开更多
关键词 氧离子导体 稳定氧化铋 中子衍射
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