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Effect of annealing on photoluminescence and microstructures of InGaN／GaN multi-quantum well with Mg-doped p-type GaN
被引量：
7
1
作者
李忠辉
于彤军
+4 位作者
杨志坚
冯玉春
张国义
郭宝平
朱憨笨
《Chinese Physics B》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2005年第4期830-833,共4页
原文传递
Influence of Growth Temperature and Trimethylindium Flow of InGaN Wells on Optical Properties of InGaN Multiple Quantum-Well Violet Light-Emitting Diodes
2
作者
李忠辉
于彤军
+5 位作者
杨志坚
童玉珍
张国义
冯玉春
郭宝平
牛憨笨
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2004年第9期1845-1847,共3页
原文传递
题名
Effect of annealing on photoluminescence and microstructures of InGaN／GaN multi-quantum well with Mg-doped p-type GaN
被引量：
7
1
作者
李忠辉
于彤军
杨志坚
冯玉春
张国义
郭宝平
朱憨笨
机构
keylaboratoryofoptoelectronicdevicesandsystems
StateKeyLaboratoryforMesoscopicPhysics
出处
《Chinese Physics B》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2005年第4期830-833,共4页
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
O472.3 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
Influence of Growth Temperature and Trimethylindium Flow of InGaN Wells on Optical Properties of InGaN Multiple Quantum-Well Violet Light-Emitting Diodes
2
作者
李忠辉
于彤军
杨志坚
童玉珍
张国义
冯玉春
郭宝平
牛憨笨
机构
keylaboratoryofoptoelectronicdevicesandsystems
(MinistryofEducation)
StateKeyLaboratoryforMesoscopicPhysics
出处
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2004年第9期1845-1847,共3页
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Effect of annealing on photoluminescence and microstructures of InGaN／GaN multi-quantum well with Mg-doped p-type GaN
李忠辉
于彤军
杨志坚
冯玉春
张国义
郭宝平
朱憨笨
《Chinese Physics B》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2005
7
原文传递
2
Influence of Growth Temperature and Trimethylindium Flow of InGaN Wells on Optical Properties of InGaN Multiple Quantum-Well Violet Light-Emitting Diodes
李忠辉
于彤军
杨志坚
童玉珍
张国义
冯玉春
郭宝平
牛憨笨
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2004
0
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