相位测量轮廓术中量化误差抑制算法的研究 被引量：5

1

作者 张秋菊 王永昌 刘凯 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2014年第5期1646-1650,共5页

为了减小三维测量过程中因使用数字化设备而引入的量化误差,提高相位精度和三维重建的效果,提出了一种通过修正灰度来减小相位量化误差的新抑制算法。通过检测波峰、波谷和斜率极值点附近像素点灰度量化误差的值来建立相关数学模型,利... 为了减小三维测量过程中因使用数字化设备而引入的量化误差,提高相位精度和三维重建的效果,提出了一种通过修正灰度来减小相位量化误差的新抑制算法。通过检测波峰、波谷和斜率极值点附近像素点灰度量化误差的值来建立相关数学模型,利用该数学模型修正这些像素点的灰度值,达到减小相位量化误差的目的。实验结果表明,在不同深度位情况下,修正后相位误差的方差与修正前相比都减小了20%以上。相比其它算法,该算法不仅在减小相位量化误差方面具有更好的效果,而且实现了实时性。 展开更多

关键词 三维测量 相位量化误差 相位测量轮廓术 修正灰度 抑制算法

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多路径模型对相位测量轮廓术的影响 被引量：5

2

作者 许晓畅 王永昌 刘凯 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第4期566-573,共8页

为了克服多路径效应对相位测量轮廓术的影响,提出一种相位融合算法.首先建立多路径效应的数学模型,并利用该模型分析多路径效应引起的相位误差,得出了该效应引起的相位误差主要发生在反射率变化剧烈的地方,其除了与邻域内每点的真相位... 为了克服多路径效应对相位测量轮廓术的影响,提出一种相位融合算法.首先建立多路径效应的数学模型,并利用该模型分析多路径效应引起的相位误差,得出了该效应引起的相位误差主要发生在反射率变化剧烈的地方,其除了与邻域内每点的真相位值和真反射率有关外,还与扫描的方向有关的结论;然后基于该分析推导出相位融合算法,沿X,Y方向扫描分别得到2组相位值,再根据物体表面反射率的变化对2组相位进行融合,完成相位的修正.实验结果表明,即使投射大量的编码图片,由多路径效应引入的相位误差仍然存在且不可忽略,采用文中算法可以有效地使相位误差减小2倍. 展开更多

关键词 无接触式三维测量 相位测量轮廓术 多路径模型 相位误差 相位修正

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应对45nm缺陷挑战 被引量：2

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作者 Becky Pinto 加藤昌彦 KLA-Tencor 《集成电路应用》 2008年第1期43-47,共5页

在半导体行业的早期，在实施缺陷检查时，会将晶圆置于光线明亮之处，查看表面上的灰尘和其它微粒，并计算散射中心的数量。上世纪90年代初，业界领先企业开始引入在线缺陷检查，以提高良率，增加盈利并加快其产品上市步伐。如今，全球... 在半导体行业的早期，在实施缺陷检查时，会将晶圆置于光线明亮之处，查看表面上的灰尘和其它微粒，并计算散射中心的数量。上世纪90年代初，业界领先企业开始引入在线缺陷检查，以提高良率，增加盈利并加快其产品上市步伐。如今，全球最先进的晶圆代工厂使用一整套高度自动化的缺陷检查和复查系统，借助尖端的光学或电子束技术及专门算法，可以发现并区分各种微粒和图形缺陷。 展开更多

关键词 缺陷检查 半导体行业 电子束技术 散射中心 自动化 晶圆 微粒

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掩膜对不准测量用的电压对比度测试结构

4

作者 Oliver D.Patterson Stephen R.Fox Roland Hahn 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期136-141,共6页

由于目前最先进CMOS器件的尺寸非常小,对准要求变得极具挑战性。测量触点至栅极对准的方法涉及用SEM扫描触点阵列,每次与接地栅极的重叠部分数量不同。电压对比信号表明哪些触点正在触及栅极。把样品晶圆数据与光学对准数据进行了比较... 由于目前最先进CMOS器件的尺寸非常小,对准要求变得极具挑战性。测量触点至栅极对准的方法涉及用SEM扫描触点阵列,每次与接地栅极的重叠部分数量不同。电压对比信号表明哪些触点正在触及栅极。把样品晶圆数据与光学对准数据进行了比较。阐述了更充分比较二种技术的精度必须要做的后续工作。 展开更多

关键词 光学对准 触点 栅条 栅极 晶圆 掩膜 测试结构 电压

原文传递

20nm高介电常数金属栅极缺陷减少技术 被引量：1

5

作者 Vincent Charbois Julie Lebreton +5 位作者 Mylène Savoye Eric Labonne Antoine Labourier Benjamin Dumont Chet Lenox Mike von Den Hof 《电子工业专用设备》 2017年第1期8-13,共6页

介绍了20 nm平面技术生产线前端缺陷减少的方法、结果及改善。介绍的缺陷检测优化与缺陷减少方法是针对高性能逻辑器件所用的300 mm晶圆上的高介电常数金属栅极(HKMG)层叠模块而实施的。

关键词 缺陷检测与减少(DI) 成品率改善/学习(YE)

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针对硅晶圆和芯片制造领域的缺陷检测系统

6

作者 无 《今日电子》 2018年第8期72-72,共1页

这两款全新缺陷检测产品可在硅晶圆和芯片制造领域中针对先进技术节点的逻辑和内存元件,为设备和工艺监控解决两项关键挑战。Voyager1015系统提供了检测图案化晶圆的新功能,包括在光刻胶显影后并且晶圆尚可重新加工的情况下,立即在光刻... 这两款全新缺陷检测产品可在硅晶圆和芯片制造领域中针对先进技术节点的逻辑和内存元件,为设备和工艺监控解决两项关键挑战。Voyager1015系统提供了检测图案化晶圆的新功能,包括在光刻胶显影后并且晶圆尚可重新加工的情况下,立即在光刻系统中进行检查。SurfscanSP7系统为裸片晶圆、平滑和粗糙的薄膜提供了前所未有的缺陷检测灵敏度,这对于制造用于7nm节点逻辑和高级内存元件的硅衬底非常重要,同时也是在芯片制造中及早发现工艺问题的关键。 展开更多

关键词 检测系统 制造领域 缺陷检测 芯片制造 硅晶圆 技术节点 工艺监控 检测灵敏度

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在SEM上进行晶片检测程式优化的新方法

7

作者 Andrew Stamper Sang Chong +4 位作者 Kourosh Nafisi Petra Feichtinger WeeTeck Chia David Randall Aneesh Khullar 《集成电路应用》 2008年第5期30-32,共3页

更细的设计规则、更小的缺陷类型、更多的噪声源和新的工艺整合方案，给原本有效的在线晶片检测方法带来了严峻挑战。通过描绘在线检测到的良率限制缺陷的量值以及它们对在线和最终测试良率的影响程度，往往可以获得良率改进最佳方法。... 更细的设计规则、更小的缺陷类型、更多的噪声源和新的工艺整合方案，给原本有效的在线晶片检测方法带来了严峻挑战。通过描绘在线检测到的良率限制缺陷的量值以及它们对在线和最终测试良率的影响程度，往往可以获得良率改进最佳方法。特定良率事件的影响程度通常可以决定良率、集成和制程设计团队的工作优先次序。有效的在线缺陷检测不仅可以监控生产线状况、提高良率，还可以防止在制品（WIP）可能发生的缺陷偏移。 展开更多

关键词 在线检测 晶片 SEM 优化 程式 缺陷类型 影响程度 设计规则

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先进晶圆加工线成品率控制的新进展

8

作者 李家震 为民 《中国集成电路》 2002年第9期66-74,共9页

历史上在半导体产业界,战略性投资的重点一直都集中在核心工艺技术或者材料的开发方面。当前核心工艺与材料基本上可以说有3项,即铜/低-k介质组合的连接技术、深亚波长光刻(低于0.13μm)技术和300mm晶圆片的加工生产技术。但是随着技术... 历史上在半导体产业界,战略性投资的重点一直都集中在核心工艺技术或者材料的开发方面。当前核心工艺与材料基本上可以说有3项,即铜/低-k介质组合的连接技术、深亚波长光刻(低于0.13μm)技术和300mm晶圆片的加工生产技术。但是随着技术更新换代的加速,如何成功地掌握新的生产技术,也日益成为重要的课题,因此,其重要性和核心工艺技术与材料几乎不相上下。在这方面的投资也和在核心工艺技术与材料方面的投资具有同等的重要性。产业界正在迅速进入完善生产的新时代,此时新技术的开发应用需要和快速地达到高成品率量产化要求相辅相成地实现。对于后者的投资,将有助于产业界领先的芯片制造企业在推出新一代集成电路(IC)时,能够保证推出的新产品可以最大限度地从市场获得回报。 展开更多

关键词 高成品率 晶圆 工艺技术 设计规则 缺陷 加工线 工艺参量 光刻设备 亚波长 重要性

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设计信息提高SEM缺陷检测取样效率

9

作者 Scott Jansen Stephen Fox +1 位作者 Glenn Florence Alexa Perry 《集成电路应用》 2008年第10期32-34,共3页

基于设计的分级将来自设计数据的版图信息与检测到的每个缺陷的相对位置结合起来,利用这种方法可提高缺陷帕雷托质量。通过对系统缺陷和有害缺陷进行分级,可以改进SEM检测。

关键词 缺陷检测 SEM检测 设计信息 取样 相对位置 设计数据 系统缺陷 版图

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晶圆边缘缺陷的控制策略

10

作者 M.F.Hsu J.H.Yang +4 位作者 E.Yang H.Chen M.Ng M.Li C.Perry-Sullivan 《集成电路应用》 2009年第9期25-25,28,共2页

在晶圆边缘芯片上的系统性工艺缺陷进入到晶圆内部芯片之前,如果发现并解决这些缺陷问题,可以防止产品成品率损失并加快成品率的提升速度。

关键词 边缘缺陷 控制策略 晶圆 工艺缺陷 提升速度 成品率 芯片

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汽车IC的行业趋势

11

作者 Robert Cappel 《电子工业专用设备》 2018年第1期2-2,44,共2页

预期在2018年智能自动驾驶汽车将延续其崛起和发展的趋势。随着消费者和监管机构对汽车功能的要求越来越高,半导体已经成为这些创新解决方案中的最核心部分。但是,这些芯片旨在协助汽车更为安全和经济地运行,同时却也增加了复杂性并且... 预期在2018年智能自动驾驶汽车将延续其崛起和发展的趋势。随着消费者和监管机构对汽车功能的要求越来越高,半导体已经成为这些创新解决方案中的最核心部分。但是,这些芯片旨在协助汽车更为安全和经济地运行,同时却也增加了复杂性并且对可靠性提出了更高要求,这是在移动设备和个人计算机等其他消费者领域中前所未见的[1]。现在, 展开更多

关键词 IC 缺陷类型 晶圆代工 汽车制造商

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优化检测制程设计加速改善65nm芯片的良率

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作者 Sang Chong Eric Rying +2 位作者 Alexa Perry Stephen Lam Mary Ann St Lawrence 《电子工业专用设备》 2008年第3期38-42,共5页

描述一种广泛应用于探索制程设计方面的系统性及随机性故障的短流程测试芯片与先进的检测工具平台相结合的综合方法,以对在65nm技术节点上的关键性缺陷进行特征化描述和监控,借此加速基于缺陷的良率学习。通过独特的快速电性测试方案、... 描述一种广泛应用于探索制程设计方面的系统性及随机性故障的短流程测试芯片与先进的检测工具平台相结合的综合方法,以对在65nm技术节点上的关键性缺陷进行特征化描述和监控,借此加速基于缺陷的良率学习。通过独特的快速电性测试方案、快速分析软件以及优化的检测效果,可缩短快速制程开发的学习周期。通过将在一个领先的300mm晶片厂得到的CV检测设置知识经验成功运用于制造过程,优化了产品的关键缺陷(DOI)检测。 展开更多

关键词 特征化载具 测试芯片 缺陷检测 缺陷叠置分析 S/N分析 KLA—Tencor 2800 制程-设计互动

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共同度过难关

13

作者 Brian Trafas 《集成电路应用》 2009年第6期18-18,共1页

"尽管经济的不确定性使得预测变得很难,但那些明智的公司还会为来年采取一些谨慎的行动,保证在度过低潮之后可以将整个企业一举转变为高竞争力状态。"

关键词 半导体产业 复合作用 经济危机 周期性

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应用于前沿技术节点的集成生产覆盖逐场控制

14

作者 Woong Jae Chung John Tristan +14 位作者 Karsten Gutjahr Lokesh Subramany Chen Li Yulei Sun Mark Yelverton Young Ki Kim Jeong Soo Kim Chin-Chou Kevin Huang William Pierson Ramkumar Karur-Shanmugam Brent Riggs Sven Jug John C.Robinson Lipkong Yap Vidya Ramanathan 《中国集成电路》 2016年第7期69-75,共7页

随着前沿HVM流程节点中不断应用光刻和193nm浸没式多重图形技术,逻辑设备的关键层生产覆盖要求几乎已经达到了扫描仪硬件性能的极限。为了满足HVM生产环境极端覆盖的要求,本次研究调查了前沿技术节点的一个新集成覆盖控制构想,它将运行... 随着前沿HVM流程节点中不断应用光刻和193nm浸没式多重图形技术,逻辑设备的关键层生产覆盖要求几乎已经达到了扫描仪硬件性能的极限。为了满足HVM生产环境极端覆盖的要求,本次研究调查了前沿技术节点的一个新集成覆盖控制构想,它将运行到运行(R2R)线性或高阶控制回路、周期逐场或每曝光校正(CPE)晶圆流程标记控制回路,以及扫描仪基线控制回路结合,应用到晶圆厂主机APC系统的一个单一集成覆盖控制路径。目标是满足晶圆厂的覆盖性能要求、降低总拥有成本,并提供自由的控制方法。本文将讨论此构想的一个详细实施案例,以及一些初步的结果。 展开更多

关键词 覆盖 CPE 残余 扫描仪 覆盖控制 逐场校正 每曝光校正 基线控制

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65nm技术节点套刻控制的经济价值(英文)

15

作者 John A.Allgair Kevin M.Monahan 《电子工业专用设备》 2004年第3期29-33,共5页

国际半导体技术发展路线工作组确定了把套刻控制作为65nm及其以下的技术节点未知解决方法的技术障碍。最严重的问题是总的测量方法不确定、CMP工艺的坚固性以及器件的相互关系。系统的根源引起的图形位置误差(PPE)分析在摩托罗拉公司的D... 国际半导体技术发展路线工作组确定了把套刻控制作为65nm及其以下的技术节点未知解决方法的技术障碍。最严重的问题是总的测量方法不确定、CMP工艺的坚固性以及器件的相互关系。系统的根源引起的图形位置误差(PPE)分析在摩托罗拉公司的DanNoble中心已得到确定,即目前传统的框中框式套刻标记在所有的三种类型引起了缺陷。一种先进的利用成像标记的建议是基于栅格型且能被分割成类似于器件图形的特征图形。在采用193nm光刻设备进行多浅沟道隔离图形套刻的情况下,这种标记显示出将总的测量方法不确定因素减少了40%。 展开更多

关键词 65nm节点 套刻控制 套刻标记 光刻

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针对20μm及以下间距的微凸块工艺缺陷检测的研究方法

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作者 M.Liebens J.Slabbekoorn +4 位作者 A.Miller E.Beyne M.Stoerring S.Hiebert A.Cross 《电子工业专用设备》 2018年第5期13-15,36,共4页

三维锡膏检测渊Three-dimensional Solder Paste Inspection, SPI冤设备的研发总体上分为计算机视觉处理系统尧 台体机械系统和精密运动平台控制系统。 视觉系统是整个系统的最核心部分,采用 3 台 LCD 数字光栅投影仪和 1 台 CCD 组成... 三维锡膏检测渊Three-dimensional Solder Paste Inspection, SPI冤设备的研发总体上分为计算机视觉处理系统尧 台体机械系统和精密运动平台控制系统。 视觉系统是整个系统的最核心部分,采用 3 台 LCD 数字光栅投影仪和 1 台 CCD 组成视觉模块,三维检测算法采用相位测量轮廓术测量锡膏的高度尧体积和形状,从而帮助 EMS 制造商降低电路板生产成本,提高自身的智造技术水平和产品质量有一定意义。 展开更多

关键词 三维锡膏检测设备 视觉处理系统 运动控制系统

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0.18μm铜金属双重镶嵌工艺中空间成像套刻精度分析

17

作者 Bernd Schulz Harry J. Levinson +3 位作者 Rolf Seltmann Joel Seligson Pavel Izikson Anat Ronen 《电子工业专用设备》 2005年第2期15-21,72,共8页

由于空间成像套刻(Overlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高。通过对后开发(AfterDevelopDI)阶段和后蚀刻(AfterEtchFI)阶段的Overlay测量结果进行比较,研究了0.18μm设... 由于空间成像套刻(Overlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高。通过对后开发(AfterDevelopDI)阶段和后蚀刻(AfterEtchFI)阶段的Overlay测量结果进行比较,研究了0.18μm设计规范下的铜金属双重镶嵌工艺过程中的Overlay准确度。在确保对同一个晶圆进行后开发(DI)阶段和后蚀刻(FI)阶段测试的条件下,我们对成品晶圆的5个工艺层进行了比较。此外,还利用CD-SEM(线宽-扫描电子显微镜)测量了某个工艺层(PolyGate)上的芯片内Overlay,并与采用分割线方法的光学Overlay测量结果进行了比较。发现对芯片内overlay的校准存在着严重的局限性,即在应用CD-SEM时缺乏合适的结构进行Overlay测量。我们还将继续为大家提供定量的比较结果,同时也会向大家推荐组合的CD-SEM测量结构,使其能够被应用到今后的光刻设计中。 展开更多

关键词 空间成像套刻 准确度 校准

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一种抑制相位测量轮廓术饱和误差的方法 被引量：13

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作者 赵婧 王永昌 刘凯 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期180-187,共8页

当利用相位测量轮廓术进行三维物体表面重建时,如果物体表面反射率很大,通过照相机捕获的光栅图像会发生光强度饱和现象,光栅光强度饱和会造成三维重建时的相位误差。对因光栅光强度饱和而导致的相位误差进行研究,并建立每个像素点各帧... 当利用相位测量轮廓术进行三维物体表面重建时,如果物体表面反射率很大,通过照相机捕获的光栅图像会发生光强度饱和现象,光栅光强度饱和会造成三维重建时的相位误差。对因光栅光强度饱和而导致的相位误差进行研究,并建立每个像素点各帧光强度值的数学模型,提出了一种利用未饱和光强值直接求解相位的新方法。通过仿真和实验分别验证了提出的算法的有效性。仿真结果表明,采用修复算法计算的相位,其误差的均方根值比修复前减小了92.5%;实验中利用该算法求得的相位误差,其均方根值比修复前的相位误差均方根值最多减小了82.8%。 展开更多

关键词 测量 相位测量轮廓术 误差抑制算法 光强度饱和 相位误差

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