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Effects of Techniques of Implanting Nitrogen into Buried Oxide on the Characteristics of Partially Depleted SOI PMOSFET
1
作者
郑中山
刘忠立
+6 位作者
张国强
李宁
范楷
张恩霞
易万兵
陈猛
王曦
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2005年第3期654-656,共3页
原文传递
题名
Effects of Techniques of Implanting Nitrogen into Buried Oxide on the Characteristics of Partially Depleted SOI PMOSFET
1
作者
郑中山
刘忠立
张国强
李宁
范楷
张恩霞
易万兵
陈猛
王曦
机构
MicroelectronicsR&DCentre
MicroelectronicsR&DCentre
instituteofmicrosystemandinformationtechnology
出处
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2005年第3期654-656,共3页
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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作者
出处
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1
Effects of Techniques of Implanting Nitrogen into Buried Oxide on the Characteristics of Partially Depleted SOI PMOSFET
郑中山
刘忠立
张国强
李宁
范楷
张恩霞
易万兵
陈猛
王曦
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2005
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